Optimierung der Haftung antithrombogener a-SiC:II-Schichten auf TiA15Fe2,5

Optimierung der Haftung antithrombogener a-SiC:II-Schichten auf TiA15Fe2,5 Optimierung der Haftung antithrombogener a-SiC:Ii-Schichten auf TiAI5Fe2,5 J. Schulte, J. Riedmüller, A. Bolz, M. Amon, M. Schaldach Zcntralinstitut für Biomedizinische Technik der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg Tumstr. 5, D-91054 Erlangen EINLEITUNG: Die Blutverträgüchkeit von Implantaten läßt sich durch im PEC VD-Verfahren (Plasma-Enhanced-Chemical-Vapour-Dcposition) hergestellte, n-dotierte, amo he Siliziumkaibidschichten (a-SiC:H) verbessern, da sie bei geeigneten Abscheidebedingungen aufgrund ihrer elektronischen Bandstruktur den Gerinnungsmechanismus inhibieren [1J. Die zur Abscheidung antithrombogener Schichten notwendige Beschichtungstemperatur von 250°C führt jedoch, insbesondere bei metallischen Substraten, nach dem Abkühlen aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten von Schicht und Substrat zu mechanischen Spannungen an der Grenzfläche, die die Schichthaftung erniedrigea Um die Funktionsfähigkeit und Langzeitstabilität hybrid aufgebauter Implantate zu gewährleisten, ist ein Ausgleich dieser Spannungen durch die feste Veibindung zwischen Substratmaterial und Schicht notwendig. Zur Optimierung der Adhäsion muß die Übergangszone (Interface) zum Substrat so präpariert werden, daß die für die Haftung entscheidenden interatomaren oder intermolekularen Bindungskräfte verstärkt werden oder die Anzahl derBindungen erhöht wird. Ziel ist dabei die Herstellung von Veibindungs- oder Diffusionsübergängen [2] bei der jeweiligen Schicht/Substrat-Kombination: Ist eine chemische Reaktion zwischen Schicht und Substratoberfläche möglich, so besteht die Phasengrenze aus einer Verbindung der beteiligten Atome, was sich häufig positiv auf die Haftfestigkeit auswirkt. Bei gegenseitiger Löslichkeit von Substrat und· http://www.deepdyve.com/assets/images/DeepDyve-Logo-lg.png Biomedizinische Technik / Biomedical Engineering de Gruyter

Optimierung der Haftung antithrombogener a-SiC:II-Schichten auf TiA15Fe2,5

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Publisher
de Gruyter
Copyright
Copyright © 2009 Walter de Gruyter
ISSN
0013-5585
eISSN
1862-278X
DOI
10.1515/bmte.1993.38.s1.137
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Abstract

Optimierung der Haftung antithrombogener a-SiC:Ii-Schichten auf TiAI5Fe2,5 J. Schulte, J. Riedmüller, A. Bolz, M. Amon, M. Schaldach Zcntralinstitut für Biomedizinische Technik der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg Tumstr. 5, D-91054 Erlangen EINLEITUNG: Die Blutverträgüchkeit von Implantaten läßt sich durch im PEC VD-Verfahren (Plasma-Enhanced-Chemical-Vapour-Dcposition) hergestellte, n-dotierte, amo he Siliziumkaibidschichten (a-SiC:H) verbessern, da sie bei geeigneten Abscheidebedingungen aufgrund ihrer elektronischen Bandstruktur den Gerinnungsmechanismus inhibieren [1J. Die zur Abscheidung antithrombogener Schichten notwendige Beschichtungstemperatur von 250°C führt jedoch, insbesondere bei metallischen Substraten, nach dem Abkühlen aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten von Schicht und Substrat zu mechanischen Spannungen an der Grenzfläche, die die Schichthaftung erniedrigea Um die Funktionsfähigkeit und Langzeitstabilität hybrid aufgebauter Implantate zu gewährleisten, ist ein Ausgleich dieser Spannungen durch die feste Veibindung zwischen Substratmaterial und Schicht notwendig. Zur Optimierung der Adhäsion muß die Übergangszone (Interface) zum Substrat so präpariert werden, daß die für die Haftung entscheidenden interatomaren oder intermolekularen Bindungskräfte verstärkt werden oder die Anzahl derBindungen erhöht wird. Ziel ist dabei die Herstellung von Veibindungs- oder Diffusionsübergängen [2] bei der jeweiligen Schicht/Substrat-Kombination: Ist eine chemische Reaktion zwischen Schicht und Substratoberfläche möglich, so besteht die Phasengrenze aus einer Verbindung der beteiligten Atome, was sich häufig positiv auf die Haftfestigkeit auswirkt. Bei gegenseitiger Löslichkeit von Substrat und·

Journal

Biomedizinische Technik / Biomedical Engineeringde Gruyter

Published: Jan 1, 1993

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