TY - JOUR
AU - 
AB - Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (255) 2019, с. 55-64 Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. Issue 4 (255) 2019, рр. 55-64 Power microwave and solid-state electronic devices 16. Denisov A.V., Deryabin A.N., Tikhonov Ye.O., УДК 621.3.085.6 DOI: 10.36845/2073-8250-2019-255-4-55-64 Chistyakova S.I. Sposob ochistki poverkhnosti sap- packaging with heat-sinks made of new materials firovykh podlozhek [The method for sapphire sub- with high thermal conductivity]. Abstract of Ph. D. ОСОБЕННОСТИ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КОРПУСОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ strates surface cleaning]. Russian Federation patent thesis. Moscow, 2018, 143 p. ПРИБОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛОМАТРИЧНОГО no. 2395135 (2009). 13. Shmakov M., Parshin V., Smirnov A. Shkola pro- 17. Efimov I.E., Kozyr I.Ya., Gorbunov Yu.N. Mikro- КОМПОЗИТА ALSIC izvodstva GPIS. Ochistka poverkhnosti plastin elektronika [Microelectronics], Moscow, Vyshaya i podlozhek [School of semiconductor HIC manu- Shkola, 1986, 416 p. facturing. Wafers and substrate surface cleaning]. А.А. Золотарев, Л.В. Чумакова 18. Luchkin A.G., Luchkin G.S. Ochistka poverkhnosti Tekhnologii v elektronnoi promyshlennosti, 2008, АО «НПП «Пульсар», 105187, г. Москва, Окружной пр., 27 podlozhek dlya naneseniya pokrytiy vakuumno- no. 5, pp. 77-78. plazmennymi metodami [Substrate surface cleaning 14. Orekhov V.T., Skachedub A.A., Rachenok I.G., for the vacuum-plasma coating techniques]. Vestnik В статье представлены результаты разработки технологии металлизации корпуса полупро- Pavlyukevich Ye. 
TI - FEATURES OF METALLIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES MADE OF ALSIC METAL-MATRIX COMPOSITE
JF - Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device
DO - 10.36845/2073-8250-2019-255-4-55-64
DA - 2019-01-01
UR - https://www.deepdyve.com/lp/unpaywall/features-of-metallization-of-semiconductor-device-packages-made-of-74pun0O1CN
DP - DeepDyve
ER -