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AB - Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering 한국정보통신학회논문지(J. Korea Inst. Inf. Commun. Eng.) Vol. 20, No. 10 : 1927~1934 Oct. 2016 I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석 1 2* 1 1 2 이민웅 · 조성익 · 이남호 · 정상훈 · 김성미 Design of a radiation-tolerant I-gate n-MOSFET structure and analysis of its characteristic 1 2* 1 1 2 Min-woong Lee · Seong-ik Cho · Nam-ho Lee · Sang-hun Jeong · Sung-mi Kim Department of Nuclear convergence technology, Korea Atomic Energy Research Institute, Daejeon 34057, Korea 2* Department of Electronic engineering, Chonbuk National University, Jeonju 54896, Korea 요 약 본 논문에서는 일반적인 실리콘 기반 n-MOSFET(n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 절연 산화막 계면에서 방사선으로부터 유발되는 누설전류 경로를 차단하기 위하여 I형 게이트 n-MOSEFT 구조를 제안하였다. I형 게이트 n-MOSFET 구조는 상용 0.18um CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정 에서 레이아웃 변형 기법을 이용하여 설계되었으며, ELT(Enclosed Layout Transistor)와 DGA(Dummy Gate- Assisted) n-MOSFET와 같은 레이아웃 변형 기법을 사용한 기존 내방사선 전자소자의 구조적 단점을 개선하였다. 따라서, 기존 구조와 비교하여 반도체 칩 제작에서 회로 설계의 확장성을 확보할 수 있다. 또한, 내방사선 특성 검증 을 위하여 TCAD 3D(Technology Computer Aided Design 3-dimension) tool을 사용하여 모델링과 모의실험을 수행 하였고, 그 결과 I형 
TI - Design of a radiation-tolerant I-gate n-MOSFET structure and analysis of its characteristic
JF - Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
DO - 10.6109/jkiice.2016.20.10.1927
DA - 2016-10-31
UR - https://www.deepdyve.com/lp/unpaywall/design-of-a-radiation-tolerant-i-gate-n-mosfet-structure-and-analysis-0Y9Mi0qlZR
DP - DeepDyve
ER -