%0 Journal Article
%T A manufacturable dual channel (Si and SiGe) high-k metal gate CMOS technology with multiple oxides for high performance and low power applications
%A Krishnan, S.
%A Kwon, U.
%A Moumen, N.
%A Stoker, M.W.
%A Harley, E.C.T.
%A Bedell, S.
%A Nair, D.
%A Greene, B.
%A Henson, W.
%A Chowdhury, M.
%A Prakash, D.P.
%A Wu, E.
%A Ioannou, D.
%A Cartier, E.
%A Na, M.-H.
%A Inumiya, S.
%A Mcstay, K.
%A Edge, L.
%A Iijima, R.
%A Cai, J.
%A Frank, M.
%A Hargrove, M.
%A Guo, D.
%A Kerber, A.
%A Jagannathan, H.
%A Ando, T.
%A Shepard, J.
%A Siddiqui, S.
%A Dai, M.
%A Bu, H.
%A Schaeffer, J.
%A Jaeger, D.
%A Barla, K.
%A Wallner, T.
%A Uchimura, S.
%A Lee, Y.
%A Karve, G.
%A Zafar, S.
%A Schepis, D.
%A Wang, Y.
%A Donaton, R.
%A Saroop, S.
%A Montanini, P.
%A Liang, Y.
%A Stathis, J.
%A Carter, R.
%A Pal, R.
%A Paruchuri, V.
%A Yamasaki, H.
%A Lee, J-H.
%A Ostermayr, M.
%A Han, J-P.
%A Hu, Y.
%A Gribelyuk, M.
%A Park, D.-G.
%A Chen, X.
%A Samavedam, S.
%A Narasimha, S.
%A Agnello, P.
%A Khare, M.
%A Divakaruni, R.
%A Narayanan, V.
%A Chudzik, M.
%A ,
%J 2011 International Electron Devices Meeting
%D 2011-12-01
%I IEEE
%~ DeepDyve